爐內(nèi)氣氛對硅碳棒的影響：     

      （1）干燥空氣的影響：硅碳棒能在高溫（1600℃）、干燥的空氣中長期使用，電阻緩慢增加。氧氣（O2）與SiC在高溫時(shí)發(fā)生反應(yīng)，生成二氧化硅（SiO2）。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護(hù)膜，因此硅碳棒具有很強(qiáng)的抗氧化性。

      （2）水蒸氣的影響：水蒸氣（H2O）在1100℃時(shí)與SiC發(fā)生強(qiáng)烈化學(xué)反應(yīng)，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現(xiàn)裂紋，電阻增長速度很快。

      （3）氮?dú)猓∟2）的影響：當(dāng)硅碳棒表面溫度達(dá)到1400℃時(shí)，N2就與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成氮化硅，使硅碳棒的電阻值顯著增長。

      （4）氫氣（H2）的影響：在1250℃時(shí)，H2與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成甲烷（CH4）,破壞SiC發(fā)熱體。

     （5）氨氣（NH3）的影響：NH3在高溫時(shí)可分解成成N2和H2。故使用溫度應(yīng)控制在1250℃以下。

      （6）二氧化硫（SO2）的影響：SO2在1300℃與SiC反應(yīng)，故使用溫度應(yīng)控制在1300℃以下。

      （7）氯氣（Cl2）的影響：Cl2在600℃時(shí)就會(huì)與SiC發(fā)生反應(yīng)，在1200℃時(shí)，Cl2會(huì)把硅碳棒分解。

4、 SiC與鹽酸（HCL）、硫酸（H2SO4）在高溫時(shí)不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。濃磷酸（H3PO4）在250℃時(shí)與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成氧氣（O2）、甲烷（CH4）、二氧化碳（CO2）和二氧化硅（SiO2）。濃硝酸（HNO3）與氫氟酸（HF）的混合物在常溫下能溶解SiC。